Comchip Technology MMBT2222A-HF

包装/外壳

SOT-323

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-23-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

过渡中

Mounting Styles

SMD/SMT

Transistor Polarity

NPN

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

40 V

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Pd - Power Dissipation

300 mW

Gain Bandwidth Product fT

300 MHz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

100

DC Current Gain hFE Max

300

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Package

Tape & Reel (TR)

Current-Collector (Ic) (Max)

600 mA

Product Status

活跃

厂商

芯片技术

Base Product Number

MMBT2222

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Risk Rank

5.58

Turn-off Time-Max (toff)

285 ns

Ihs Manufacturer

COMCHIP TECHNOLOGY CO LTD

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Package Shape

RECTANGULAR

Turn-on Time-Max (ton)

35 ns

Manufacturer Part Number

MMBT2222A-HF

Transition Frequency-Nom (fT)

300 MHz

Rohs Code

有

包装

切割胶带

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

Single

功率 - 最大

300 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 15mA, 150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

75 V

集电极电流-最大值(IC)

0.6 A

最小直流增益（hFE）

42

连续集电极电流

600 mA

集电极-发射器电压-最大值

40 V