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1

￥83.889093
10

￥79.14065
100

￥74.660994
500

￥70.434898
1000

￥66.448019

Cree C3M0032120J1

Name: C3M0032120J1
Brand: Cree
SKU: 564-C3M0032120J1
Price: 83.89 USD
Availability: InStock
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对比

型号

C3M0032120J1

品牌

Cree

utmel 编号

564-C3M0032120J1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-7

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET SiC, MOSFET, 32mOhm, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial, Gen 3

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--最小包装量--

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C3M0032120J1 Cree MOSFET SiC, MOSFET, 32mOhm, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial, Gen 3

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C3M0032120J1详情

技术参数

Cree C3M0032120J1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

TO-263-7
Typical Turn-On Delay Time

15 ns
Typical Turn-Off Delay Time

25 ns
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

50
Moisture Sensitive

有
Forward Transconductance - Min

25 S
Fall Time

7 ns
Channel Mode

Enhancement
Pd - Power Dissipation

277 W
Maximum Operating Temperature

+ 175 C
Minimum Operating Temperature

- 40 C
Qg - Gate Charge

111 nC
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3.6 V
Vgs - Gate-Source Voltage

- 4 V, + 15 V
Rds On - Drain-Source Resistance

32 mOhms
Id - Continuous Drain Current

63 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

1.2 kV
Transistor Polarity

N-Channel
Mounting Styles

通孔
RoHS

Details
包装

Tube
配置

Single
通道数量

1 Channel
上升时间

16 ns
晶体管类型

1 N-Channel
产品

MOSFET
宽度

4.44 mm
长度

10.18 mm
高度

7.08 mm

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C3M0032120J1拓展信息

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