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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 C3M0160120D
C3M0160120D
C3M0160120D

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Cree C3M0160120D

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型号

C3M0160120D

品牌

Cree

utmel 编号

564-C3M0160120D

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET SiC, MOSFET, 160mOhm, 1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3

起订量

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C3M0160120D
C3M0160120D Cree MOSFET SiC, MOSFET, 160mOhm, 1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3

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C3M0160120D详情

技术参数

Cree C3M0160120D重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • RoHS

    Details

  • Mounting Styles

    通孔

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    1.2 kV

  • Id - Continuous Drain Current

    17 A

  • Rds On - Drain-Source Resistance

    160 mOhms

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    - 8 V, + 19 V

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    3.6 V

  • Qg - Gate Charge

    38 nC

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Pd - Power Dissipation

    97 W

  • Channel Mode

    Enhancement

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    30

  • Unit Weight

    0.211644 oz

  • 包装

    Tube

  • 通道数量

    1 Channel

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

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