注：图像仅供参考，请参阅产品规格
技术文档
型号
CGHV38375F
品牌
Cree
utmel 编号
564-CGHV38375F
商品类别
晶体管 - JFET
封装
440226
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
RF JFET Transistors 400W, GaN HEMT, 50V, 2.75-3.75GHz, IM FET, Flange
起订量
--最小包装量--
请发送询价，我们将立即回复。
CGHV38375F详情
技术参数
Cree CGHV38375F重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
包装/外壳
Shipping Restrictions
This product may require additional documentation to export from the United States.
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
125 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 10 V, 2 V
Id - Continuous Drain Current
24 A
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Mounting Styles
法兰安装
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
工作频率
2.75 GHz to 3.75 GHz
输出功率
400 W
晶体管类型
HEMT
增益
11 dB
CGHV38375F拓展信息
相关分类
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号：GTVA107001FC-V1-R0
封装：--
品牌：Cree
库存：0
型号：CGHV35400F1
封装：440225
型号：CMPA5259080S
封装：QFN-48
型号：CGB5P-CEN
型号：CGHV31500F1
封装：440226-2
型号：CMPA2735030S
封装：QFN-32
购物车 (0件产品)
我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
在线咨询
哦! 它是空的。