Cypress Semiconductor Corp CY14V101LA-BA45XIT
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CY14V101LA-BA45XIT
603-CY14V101LA-BA45XIT
存储器
48-TFBGA
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NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 3.3V 48-Pin FBGA T/R
--最小包装量--
CY14V101LA-BA45XIT详情
Cypress Semiconductor Corp CY14V101LA-BA45XIT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFBGA
引脚数
48
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e1
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
HTS代码
8542.32.00.41
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.75mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
48
资历状况
不合格
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
1Mb 128K x 8
电源电流
52mA
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8b
组织结构
128KX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
45ns
密度
1 Mb
待机电流-最大值
0.008A
访问时间(最大)
45 ns
字长
8b
长度
10mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CY14V101LA-BA45XIT拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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