Cypress Semiconductor Corp CY62126EV30LL-45ZSXI

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

引脚数

44

Memory Types

Volatile

Current - Supply (Nom)

16mA

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

已出版

1998

系列

MoBL®

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

44

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

电压 - 供电

3V

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8mm

频率

1MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

CY62126

内存大小

1Mb 64K x 16

端口的数量

1

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

输出特性

3-STATE

写入周期时间 - 字符、页面

45ns

地址总线宽度

16b

密度

1 Mb

待机电流-最大值

0.000003A

访问时间（最大）

45 ns

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

16b

电压 - 供电 （最大值）

3.6V

电压 - 供电 （最小值）

2.2V

高度

1.044mm

长度

18.52mm

宽度

10.262mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅