Cypress Semiconductor Corp CY7C1069G30-10ZSXI

工厂交货时间

13 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

表面安装

YES

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

54

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8542.32.00.41

电压 - 供电

2.2V~3.6V

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

电源电压

3V

端子间距

0.8mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-G54

电源电压-最大值(Vsup)

3.6V

电源电压-最小值(Vsup)

2.2V

内存大小

16Mb 2M x 8

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

2MX8

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

10ns

记忆密度

16777216 bit

访问时间（最大）

10 ns

长度

22.415mm

座位高度(最大)

1.2mm

宽度

10.16mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅