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'cy7c2663kv18550bzi'

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category.存储器 (2)

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

安装类型

包装/外壳

引脚数

供应商器件包装

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

类型

端子表面处理

附加功能

技术

电压 - 供电

端子位置

峰值回流焊温度（摄氏度）

功能数量

端子间距

时间@峰值回流温度-最大值(s)

基本部件号

内存大小

端口的数量

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

内存格式

内存接口

建筑学

组织结构

输出特性

内存宽度

写入周期时间 - 字符、页面

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

筛选水平

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电（最大值）

电压 - 供电（最小值）

组织的记忆

座位高度(最大)

长度

辐射硬化

RoHS状态

CY7C2663KV18-550BZI

CY7C2663KV18-550BZI

Infineon Technologies

858 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

FBGA-165

165

165-FBGA (15x17)

N

550 MHz

Parallel

1.7 V

- 40 C

+ 85 C

SMD/SMT

QDR

有

Infineon Technologies

105

550 MHz

FBGA

QDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

8 MWords

18 Bit

1.9 V

表面贴装

Tray

CY7C2663

活跃

1.9 V

Industrial grade

-40 to 85 °C

Tray

CY7C2663KV18

Synchronous

SRAM - Synchronous, QDR II+

1.7V ~ 1.9V

144 Mbit

2

550 MHz

1.09 A

450 ps

SRAM

Parallel

Pipelined

8 M x 18

-

21 Bit

144 Mb

144

Industrial

8M x 18

CY7C2663KV18-550BZI

CY7C2663KV18-550BZI

Cypress Semiconductor Corp

2589 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

13 Weeks

表面贴装

表面贴装

165-LBGA

165

Volatile

-40°C~85°C TA

Tube

2003

e0

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag)

流水线结构

1.8V

BOTTOM

220

1

1mm

30

CY7C2663

144Mb 8M x 18

2

550MHz

450 ps

SRAM

Parallel

8MX18

3-STATE

18

21b

144 Mb

0.5A

SEPARATE

Synchronous

18b

1.7V

1.9V

1.7V

1.4mm

17mm

无

Non-RoHS Compliant