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Cypress Semiconductor Corp CYDMX064B16-65BVXI

Name: CYDMX064B16-65BVXI
Brand: Cypress Semiconductor Corp
SKU: 603-CYDMX064B16-65BVXI
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

CYDMX064B16-65BVXI

品牌

Cypress Semiconductor Corp

utmel 编号

603-CYDMX064B16-65BVXI

商品类别

存储器

封装

100-VFBGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC SRAM 64K PARALLEL 100VFBGA

起订量

--最小包装量--

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CYDMX064B16-65BVXI Cypress Semiconductor Corp IC SRAM 64K PARALLEL 100VFBGA

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CYDMX064B16-65BVXI详情

技术参数

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型号对比

Cypress Semiconductor Corp CYDMX064B16-65BVXI重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

100-VFBGA
表面安装

YES
引脚数

100
Memory Types

Volatile
操作温度

-40°C~85°C TA
包装

Tray
已出版

2011
JESD-609代码

e1
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
终止次数

100
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能

IT CAN OPERATE ALSO 2.5 AND 3.3 VOLT
HTS代码

8542.32.00.41
电压 - 供电

1.8V
端子位置

BOTTOM
功能数量

1
端子间距

0.5mm
Reach合规守则

unknown
基本部件号

CYDMX
资历状况

不合格
内存大小

64Kb 4K x 16
操作模式

ASYNCHRONOUS
内存格式

SRAM
内存接口

Parallel
组织结构

4KX16
内存宽度

16
写入周期时间 - 字符、页面

65ns
记忆密度

65536 bit
访问时间（最大）

65 ns
电压 - 供电（最大值）

1.9V
电压 - 供电（最小值）

1.7V
长度

6mm
座位高度(最大)

1mm
宽度

6mm
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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CYDMX064B16-65BVXI拓展信息

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