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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.211541
10
¥4.916547
100
¥4.638252
500
¥4.375709
1000
¥4.128031
Diodes Incorporated 2DA1201YQTC
- 收藏
- 对比
2DA1201YQTC
671-2DA1201YQTC
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-243AA
大陆
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TRANS PNP 120V 0.8A SOT89
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2DA1201YQTC详情
Diodes Incorporated 2DA1201YQTC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
引脚数
4
质量
51.993025mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
120V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-1V
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
1.5W
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
160MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
JESD-30代码
R-PSSO-F3
元素配置
Single
功率耗散
1.5W
箱体转运
COLLECTOR
增益带宽积
160MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
120V
最大集电极电流
800mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 100mA 5V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 50mA, 500mA
转换频率
160MHz
最大击穿电压
120V
集电极基极电压(VCBO)
120V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
连续集电极电流
-800mA
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2DA1201YQTC拓展信息
Diodes Incorporated
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