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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 2DB1689-7
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Diodes Incorporated 2DB1689-7

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  • 对比

型号

2DB1689-7

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-2DB1689-7

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

SC-70, SOT-323

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODES INC. 2DB1689-7 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 12 V, 300 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE

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2DB1689-7 Diodes Incorporated DIODES INC. 2DB1689-7 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 12 V, 300 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE

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技术参数

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型号对比

Diodes Incorporated 2DB1689-7重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-70, SOT-323

  • 引脚数

    3

  • 质量

    6.010099mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    12V

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    270

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2008

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    300mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 频率

    300MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    500mW

  • 功率 - 最大

    300mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 增益带宽积

    300MHz

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 晶体管类型

    PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    12V

  • 最大集电极电流

    1.5A

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    270 @ 200mA 2V

  • 最大集极截止电流

    100nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    200mV @ 25mA, 500mA

  • 转换频率

    300MHz

  • 最大击穿电压

    12V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    15V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6V

  • 高度

    1mm

  • 长度

    2.15mm

  • 宽度

    1.3mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Diodes Incorporated 2DB1689-7.

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