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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 2DB1713-13
2DB1713-13
2DB1713-13

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Diodes Incorporated 2DB1713-13

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型号

2DB1713-13

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-2DB1713-13

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-243AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODES INC. 2DB1713-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 12 V, 180 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE

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2DB1713-13
2DB1713-13 Diodes Incorporated DIODES INC. 2DB1713-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 12 V, 180 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE

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技术参数

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Diodes Incorporated 2DB1713-13重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-243AA

  • 引脚数

    4

  • 质量

    51.993025mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    12V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    -250mV

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    270

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2008

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    900mW

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 频率

    180MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    2DB1713

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-F3

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    2W

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 功率 - 最大

    900mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 增益带宽积

    180MHz

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 晶体管类型

    PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    12V

  • 最大集电极电流

    3A

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    270 @ 500mA 2V

  • 最大集极截止电流

    100nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    250mV @ 30mA, 1.5A

  • 转换频率

    180MHz

  • 最大击穿电压

    12V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    15V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6V

  • 高度

    1.5mm

  • 长度

    4.5mm

  • 宽度

    2.5mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Diodes Incorporated 2DB1713-13.

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公司资质

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AS
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