Diodes Incorporated 2DD2098R-13
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2DD2098R-13
671-2DD2098R-13
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-243AA
大陆
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TRANS NPN 20V 5A SOT89-3
--最小包装量--
2DD2098R-13详情
Diodes Incorporated 2DD2098R-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
19 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
引脚数
4
质量
51.993025mg
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
2DD2098R-13
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1V
Current-Collector (Ic) (Max)
5A
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
1W
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
220MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
2DD2098
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-F3
元素配置
Single
功率耗散
1W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
220MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
20V
最大集电极电流
10A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
180 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
500nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 100mA, 4A
转换频率
220MHz
最大击穿电压
20V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
高度
1.5mm
长度
4.5mm
宽度
2.5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
2DD2098R-13拓展信息
Diodes Incorporated
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