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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.883413
10
¥3.663595
100
¥3.456226
500
¥3.26059
1000
¥3.076029
Diodes Incorporated 2DD2679-13
- 收藏
- 对比
2DD2679-13
671-2DD2679-13
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-243AA
大陆
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DIODES INC. 2DD2679-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 240 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2DD2679-13详情
Diodes Incorporated 2DD2679-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
引脚数
3
质量
51.993025mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Collector-Emitter Saturation Voltage
370mV
Number of Elements
1
hFEMin
270
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
2W
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
240MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
2W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
240MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
270 @ 200mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
370mV @ 75mA, 1.5A
转换频率
240MHz
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
高度
1.5mm
长度
4.5mm
宽度
2.5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2DD2679-13拓展信息
Diodes Incorporated
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