Diodes Incorporated APT13003EZTR-G1

工厂交货时间

15 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92

Collector-Emitter Breakdown Voltage

465V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Current-Collector (Ic) (Max)

1.5A

Power Dissipation (Max)

1.1W

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2017

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

元素配置

Single

功率 - 最大

1.1W

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

13 @ 500mA 2V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 250mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

465V

频率转换

4MHz

集电极基极电压(VCBO)

10V

发射极基极电压 (VEBO)

9V

高度

4.7mm

长度

4.7mm

宽度

3.7mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant