Diodes Incorporated APT13005SI-G1

工厂交货时间

15 Weeks

触点镀层

Tin

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

安装类型

通孔

底架

通孔

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

450V

Number of Elements

1

已出版

2016

包装

Tube

操作温度

-65°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

25W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE

功率 - 最大

25W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

3.2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

8 @ 2A 5V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 750mA, 3A

转换频率

4MHz

频率转换

4MHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant