Diodes Incorporated BC847AT-7
- 收藏
- 对比
BC847AT-7
671-BC847AT-7
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-523
大陆
立即发货

Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
1最小包装量--
BC847AT-7详情
Diodes Incorporated BC847AT-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-523
引脚数
3
质量
2.012816mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Number of Elements
1
hFEMin
110
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e0
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
电压 - 额定直流
45V
最大功率耗散
150mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
BC847
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
600mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
110 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 5mA, 100mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
45V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
高度
750μm
长度
1.6mm
宽度
800μm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
BC847AT-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated








哦! 它是空的。