Diodes Incorporated BC847BFA-7B

工厂交货时间

15 Weeks

触点镀层

Gold

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150V

Collector-Emitter Saturation Voltage

122mV

Number of Elements

1

hFEMin

200

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e4

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

435mW

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

元素配置

Single

功率耗散

435mW

箱体转运

COLLECTOR

增益带宽积

170MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 5mA, 100mA

转换频率

170MHz

最大击穿电压

45V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

400μm

长度

650μm

宽度

850μm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅