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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.656338
10
¥3.449373
100
¥3.254125
500
¥3.069929
1000
¥2.896159
Diodes Incorporated BC847BLP-7B
- 收藏
- 对比
BC847BLP-7B
671-BC847BLP-7B
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
3-UFDFN
大陆
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Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BC847BLP-7B详情
Diodes Incorporated BC847BLP-7B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
触点镀层
Gold
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-UFDFN
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
600mV
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2000
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
250mW
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BC847
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 5mA, 100mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
45V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
连续集电极电流
100mA
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BC847BLP-7B拓展信息
Diodes Incorporated
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