Diodes Incorporated BC857BLP-7B

工厂交货时间

19 Weeks

触点镀层

Gold

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-UFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-650mV

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

250mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BC857BLP

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

250mW

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

650mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

220 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

转换频率

100MHz

最大击穿电压

45V

集电极基极电压(VCBO)

-50V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

连续集电极电流

-100mA

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅