注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.608862
10
¥0.574399
100
¥0.541885
500
¥0.511213
1000
¥0.482277
Diodes Incorporated BCP5216TA
- 收藏
- 对比
BCP5216TA
671-BCP5216TA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
立即发货

TRANS PNP 60V 1A SOT223
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BCP5216TA详情
Diodes Incorporated BCP5216TA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-500mV
Number of Elements
1
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
2W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
150MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BCP52
引脚数量
4
元素配置
Single
功率耗散
2W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
125MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 50mA, 500mA
转换频率
150MHz
最大击穿电压
60V
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1.65mm
长度
6.55mm
宽度
3.55mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BCP5216TA拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated







哦! 它是空的。