Diodes Incorporated BCP5616QTC

表面安装

YES

包装/外壳

SOT-223-3

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

SOT-223-3

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

BCP5616QTC

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Risk Rank

0.99

Samacsys Description

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 4K

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

30

Transition Frequency-Nom (fT)

150 MHz

Transistor Polarity

NPN

Qualification

AEC-Q101

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

2 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

25 at 5mA, 2 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

Unit Weight

0.003951 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

4000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

150 MHz

Brand

Diodes Incorporated

Maximum DC Collector Current

1 A

DC Current Gain hFE Max

250 at 150 mA, 2 V

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Package

Tape & Reel (TR)

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

厂商

Diodes Incorporated

Product Status

活跃

包装

MouseReel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Automotive, AEC-Q101

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G4

配置

SINGLE

功率耗散

2

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

2 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

转换频率

150

频率转换

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

100 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

25

连续集电极电流

1

集电极-发射器电压-最大值

80 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT