Diodes Incorporated BCW61DTA

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

质量

200.998119mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

32V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

1997

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

-32V

最大功率耗散

330mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

-200mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BCW61

参考标准

CECC

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率 - 最大

330mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

180MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

550mV

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

380 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

20nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

550mV @ 1.25mA, 50mA

转换频率

180MHz

最大击穿电压

32V

集电极基极电压(VCBO)

32V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

关断时间-最大值（toff)

800ns

接通时间-最大值(ton)

150ns

高度

1mm

长度

3.05mm

宽度

1.4mm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅