Diodes Incorporated BCW68HTA

工厂交货时间

15 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-700mV

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-45V

最大功率耗散

330mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-800mA

频率

100MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BCW68

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

330mW

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

800mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

250 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

20nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 10mA, 100mA

转换频率

100MHz

最大击穿电压

45V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

-800mA

关断时间-最大值（toff)

400ns

高度

1.1mm

长度

3mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅