Diodes Incorporated BSR33QTA

工厂交货时间

14 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Power Dissipation (Max)

2.1W

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2017

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-F3

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

2.1W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

转换频率

100MHz

频率转换

100MHz

关断时间-最大值（toff)

650ns

接通时间-最大值(ton)

500ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant