Diodes Incorporated BSR33TA

工厂交货时间

14 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

4

质量

51.993025mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-500mV

Number of Elements

1

hFEMin

50

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-80V

最大功率耗散

1W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-1A

频率

100MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BSR33

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

1W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

转换频率

100MHz

最大击穿电压

80V

集电极基极电压(VCBO)

90V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

-1A

高度

1.5mm

长度

4.5mm

宽度

2.5mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅