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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.597877
10
¥1.507436
100
¥1.42211
500
¥1.341613
1000
¥1.26567
Diodes Incorporated DCP55-13
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- 对比
DCP55-13
671-DCP55-13
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-223
大陆
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Bipolar Transistors - BJT 1W 60V
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DCP55-13详情
Diodes Incorporated DCP55-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
包装/外壳
SOT-223
引脚数
4
质量
7.994566mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Number of Elements
1
hFEMin
25
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
2W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
200MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
4
极性
NPN, PNP
元素配置
Single
功率耗散
2W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
200MHz
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
1A
转换频率
200MHz
最大击穿电压
60V
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
最小直流增益(hFE)
25
连续集电极电流
1A
高度
1.65mm
长度
6.7mm
宽度
3.7mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DCP55-13拓展信息
Diodes Incorporated
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