注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.109685
10
¥2.933666
100
¥2.767604
500
¥2.610948
1000
¥2.463165
Diodes Incorporated DCX53-13
- 收藏
- 对比
DCX53-13
671-DCX53-13
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-243AA
大陆
立即发货

TRANS PNP 80V 1A SOT89-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DCX53-13详情
Diodes Incorporated DCX53-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
引脚数
4
质量
130.492855mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Number of Elements
1
hFEMin
63
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
1W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DCX53
引脚数量
4
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
1W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
200MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
63 @ 150mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 50mA, 500mA
转换频率
200MHz
最大击穿电压
80V
集电极基极电压(VCBO)
100V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1.5mm
长度
4.5mm
宽度
2.48mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DCX53-13拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated







哦! 它是空的。