Diodes Incorporated DDA143TU-7

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

2

hFEMin

100

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2002

JESD-609代码

e0

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn85Pb15)

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

-50V

最大功率耗散

200mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

235

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Dual

功率耗散

200mW

晶体管类型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1mA 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 2.5mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

50V

频率转换

250MHz

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

电阻基(R1)

4.7k Ω

连续集电极电流

-100mA

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅