参数名
参数值
参数名
参数值
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装
SOT-23-3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
DDTC114YCAQ-7-F
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
DIODES INC
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Risk Rank
5.64
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
40
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Brand
Diodes Incorporated
RoHS
Details
Package
Tape & Reel (TR)
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
厂商
Diodes Incorporated
Product Status
活跃
包装
MouseReel
系列
DDTC (R1≠R2 SERIES) CA
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7, HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
200 mW
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA, 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 250µA, 5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
250 MHz
最大耗散功率(Abs)
0.2 W
集电极电流-最大值(IC)
0.07 A
最小直流增益(hFE)
80
电阻基(R1)
10 kOhms
电阻-发射极基极(R2)
47 kOhms
集电极-发射器电压-最大值
50 V
产品类别
Bipolar Transistors - Pre-Biased