Diodes Incorporated DMG1023UV-13
- 收藏
- 对比
DMG1023UV-13
671-DMG1023UV-13
集成电路(IC)
--
大陆
立即发货

Dual P-channel Enhancement Mode Mosfet
1最小包装量--
DMG1023UV-13详情
Diodes Incorporated DMG1023UV-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
DMG1023UV-13
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
DIODES INC
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Risk Rank
5.67
Drain Current-Max (ID)
1.03 A
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
2
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
40
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-F6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.03 A
漏极-源极导通最大电阻
0.75 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.53 W
DMG1023UV-13拓展信息







哦! 它是空的。