Diodes Incorporated DMN6066SSDQ-13

工厂交货时间

17 Weeks

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件包装

8-SOP

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

DMN6066SSDQ-13

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Risk Rank

5.67

Drain Current-Max (ID)

3.3 A

Number of Elements

2

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Brand

Diodes Incorporated

RoHS

Details

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.3A (Ta)

厂商

Diodes Incorporated

Product Status

活跃

包装

Reel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Automotive, AEC-Q101

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G8

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

1.25W (Ta)

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

66mOhm @ 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

502pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.3nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

漏极-源极导通最大电阻

0.066 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

信道型

Dual N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

产品类别

MOSFET