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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.356742
10
¥5.05353
100
¥4.76748
500
¥4.497623
1000
¥4.243042
Diodes Incorporated DNLS320E-13
- 收藏
- 对比
DNLS320E-13
671-DNLS320E-13
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
立即发货

TRANS NPN 20V 3A SOT-223
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DNLS320E-13详情
Diodes Incorporated DNLS320E-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
DNLS320E-13
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
Collector-Emitter Saturation Voltage
450mV
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
1W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
150MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DNLS320
引脚数量
4
元素配置
Single
功率耗散
1W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
150MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
20V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
400 @ 2A 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
450mV @ 20mA, 3A
转换频率
150MHz
最大击穿电压
20V
集电极基极电压(VCBO)
20V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1.6mm
长度
6.5mm
宽度
3.5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DNLS320E-13拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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