Diodes Incorporated DP0150BLP4-7

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

450mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

极性

PNP

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

450mW

增益带宽积

80MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 6V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 10mA, 100mA

转换频率

80MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

350μm

长度

1mm

宽度

600μm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅