Diodes Incorporated DP0150BLP4-7B

工厂交货时间

15 Weeks

包装/外壳

3-XFDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

80MHz

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

450mW

Collector-Emitter Saturation Voltage

-300mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

已出版

2011

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

450mW

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 6V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 10mA, 100mA

转换频率

80MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

-50V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

连续集电极电流

-100mA

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC