Diodes Incorporated DPLS350E-13
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DPLS350E-13
671-DPLS350E-13
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
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Trans GP BJT PNP 50V 3A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
--最小包装量--
DPLS350E-13详情
Diodes Incorporated DPLS350E-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-300mV
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
1W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DPLS350
引脚数量
4
元素配置
Single
功率耗散
1W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 2A 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 200mA, 2A
转换频率
100MHz
最大击穿电压
50V
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
-6V
高度
1.65mm
长度
6.7mm
宽度
3.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DPLS350E-13拓展信息
Diodes Incorporated
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