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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.457676
10
¥0.43177
100
¥0.40733
500
¥0.384274
1000
¥0.362522
Diodes Incorporated DSS20201L-7
- 收藏
- 对比
DSS20201L-7
671-DSS20201L-7
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

TRANS NPN 20V 2A SOT-23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DSS20201L-7详情
Diodes Incorporated DSS20201L-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
Collector-Emitter Saturation Voltage
100mV
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
600mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
150MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DSS20201
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
600mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
150MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
20V
最大集电极电流
2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
100mV @ 200mA, 2A
转换频率
150MHz
最大击穿电压
20V
集电极基极电压(VCBO)
20V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
接通时间-最大值(ton)
200ns
高度
1mm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DSS20201L-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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