注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.413604
10
¥3.220384
100
¥3.038093
500
¥2.866132
1000
¥2.703893
Diodes Incorporated DSS2515M-7B
- 收藏
- 对比
DSS2515M-7B
671-DSS2515M-7B
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
3-UFDFN
大陆
立即发货

TRANS NPN 15V 0.5A DFN1006-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DSS2515M-7B详情
Diodes Incorporated DSS2515M-7B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-UFDFN
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
15V
Collector-Emitter Saturation Voltage
250mV
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最大功率耗散
250mW
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DSS2515M
引脚数量
3
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
增益带宽积
250MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
15V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
150 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 50mA, 500mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
15V
集电极基极电压(VCBO)
15V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
连续集电极电流
500mA
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DSS2515M-7B拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated








哦! 它是空的。