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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.292805
10
¥3.106416
100
¥2.930586
500
¥2.764699
1000
¥2.608214
Diodes Incorporated DSS4160U-7
- 收藏
- 对比
DSS4160U-7
671-DSS4160U-7
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-70, SOT-323
大陆
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DSS4160U Series 60 V 1 A Low VCE(SAT) NPN Surface Mount Transistor - SOT-323
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DSS4160U-7详情
Diodes Incorporated DSS4160U-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
质量
6.010099mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
280mV
Number of Elements
1
hFEMin
250
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
400mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
150MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DSS4160
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
400mW
增益带宽积
150MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 500mA 5V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
280mV @ 100mA, 1A
转换频率
150MHz
最大击穿电压
60V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1mm
长度
2.15mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DSS4160U-7拓展信息
Diodes Incorporated
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