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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.355739
10
¥2.222397
100
¥2.096598
500
¥1.977924
1000
¥1.865966
Diodes Incorporated DSS5220V-7
- 收藏
- 对比
DSS5220V-7
671-DSS5220V-7
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-563, SOT-666
大陆
立即发货

TRANS PNP 20V 2A SOT-563
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DSS5220V-7详情
Diodes Incorporated DSS5220V-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
质量
3.005049mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-80mV
Number of Elements
1
hFEMin
220
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
600mW
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
150MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DSS5220
引脚数量
6
元素配置
Single
功率耗散
600mW
增益带宽积
150MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
20V
最大集电极电流
2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
155 @ 1A 2V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
390mV @ 200mA, 2A
转换频率
150MHz
最大击穿电压
20V
集电极基极电压(VCBO)
20V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
连续集电极电流
-2A
高度
600μm
长度
1.6mm
宽度
1.2mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DSS5220V-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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