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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.319665
10
¥5.961949
100
¥5.624479
500
¥5.306111
1000
¥5.005765
Diodes Incorporated DXT790AP5-13
- 收藏
- 对比
DXT790AP5-13
671-DXT790AP5-13
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
PowerDI™ 5
大陆
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Trans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW Automotive 3-Pin(3 Tab) PowerDI 5 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DXT790AP5-13详情
Diodes Incorporated DXT790AP5-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
PowerDI™ 5
引脚数
3
质量
95.991485mg
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
POWERDI-5
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-170mV
Number of Elements
1
hFEMin
300
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
3.2W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DXT790
引脚数量
4
元素配置
Single
功率耗散
3.2W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 10mA 2V
最大集极截止电流
20nA
JEDEC-95代码
TO-252
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
450mV @ 300mA, 3A
转换频率
100MHz
最大击穿电压
40V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
连续集电极电流
-3A
高度
1.15mm
长度
4.05mm
宽度
5.45mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DXT790AP5-13拓展信息
Diodes Incorporated
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