Diodes Incorporated DXTN07100BP5-13

工厂交货时间

15 Weeks

包装/外壳

PowerDI™ 5

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

4

质量

95.991485mg

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

POWERDI-5

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

hFEMin

100

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.2W

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

175MHz

已出版

2016

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

175MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

元素配置

Single

功率耗散

3.2W

功率 - 最大

740mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

JEDEC-95代码

TO-252

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 2A

转换频率

175MHz

最大击穿电压

100V

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant