Diodes Incorporated DXTN5860DFDB-7

工厂交货时间

13 Weeks

包装/外壳

3-UDFN Exposed Pad

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

U-DFN2020-3 (Type B)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

6 A

Product Status

活跃

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

Diodes Incorporated

Transistor Polarity

PNP

MSL

MSL 1 - Unlimited

Qualification

AEC-Q101

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

690 mW

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

280 at 500 mA, 2 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

230 mV

Unit Weight

0.000353 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

115 MHz

Manufacturer

Diodes Incorporated

Brand

Diodes Incorporated

Maximum DC Collector Current

7 A

DC Current Gain hFE Max

430 at 500 mA, 2 V

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Package Description

SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

115 MHz

Manufacturer Part Number

DXTN5860DFDB-7

Package Shape

SQUARE

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Risk Rank

1.78

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

切割胶带

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

unknown

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

S-PDSO-N3

配置

Single

功率耗散

1.5

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

690 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

280 @ 500mA, 2V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

315mV @ 300mA, 6A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

转换频率

320

频率转换

115MHz

集电极基极电压(VCBO)

60 V

最大耗散功率(Abs)

1.25 W

集电极电流-最大值(IC)

6 A

最小直流增益（hFE）

30

连续集电极电流

100

集电极-发射器电压-最大值

60 V

VCEsat-最大值

0.315 V

集电极-基极电容-最大值

30 pF

产品类别

Bipolar Transistors - BJT