参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
Surface Mount, Wettable Flank
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
供应商器件包装
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
3 A
厂商
Diodes Incorporated
Package
Tape & Reel (TR)
Transistor Polarity
NPN
Package Type
PowerDI3333-8
Maximum Collector Emitter Voltage
-60 V
Maximum DC Collector Current
3 A
Minimum DC Current Gain
100
MSL
MSL 1 - Unlimited
Qualification
AEC-Q101
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2000
Manufacturer
Diodes Incorporated
Brand
Diodes Incorporated
RoHS
Details
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Pd - Power Dissipation
3.4 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
100
Collector-Emitter Saturation Voltage
82 mV
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Gain Bandwidth Product fT
140 MHz
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
切割胶带
子类别
Transistors
技术
Si
配置
Single
功率耗散
300
功率 - 最大
1.1 W
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 500mA, 2V
最大集极截止电流
20nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 300mA, 3A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60 V
转换频率
100
频率转换
140MHz
集电极基极电压(VCBO)
80 V
连续集电极电流
500
产品类别
Bipolar Transistors - BJT