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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 DXTP3C60PSQ-13
DXTP3C60PSQ-13
DXTP3C60PSQ-13

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Diodes Incorporated DXTP3C60PSQ-13

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型号

DXTP3C60PSQ-13

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-DXTP3C60PSQ-13

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

8-PowerTDFN

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50

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DXTP3C60PSQ-13
DXTP3C60PSQ-13 Diodes Incorporated PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50

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DXTP3C60PSQ-13详情

技术参数

Diodes Incorporated DXTP3C60PSQ-13重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerTDFN

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    3A

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 功率 - 最大

    5W

  • 晶体管类型

    PNP

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    150 @ 500mA 2V

  • 最大集极截止电流

    100nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    360mV @ 300mA, 3A

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    60V

  • 频率转换

    135MHz

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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公司资质

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