Diodes Incorporated DZT5551-13

工厂交货时间

19 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

200V

Collector-Emitter Saturation Voltage

115mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

300MHz

Power Dissipation (Max)

1W

Number of Elements

1

hFEMin

80

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

300MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

DZT5551

元素配置

Single

功率耗散

2W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

160V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 5mA, 50mA

转换频率

100MHz

最大击穿电压

160V

集电极基极电压(VCBO)

180V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

1.8mm

长度

6.7mm

宽度

3.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅