Diodes Incorporated DZT851-13

工厂交货时间

19 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

375mV

Number of Elements

1

hFEMin

25

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

1W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

130MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

DZT851

引脚数量

4

元素配置

Single

功率耗散

3W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

130MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

6A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 2A 1V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

375mV @ 300mA, 6A

转换频率

130MHz

最大击穿电压

60V

集电极基极电压(VCBO)

150V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

连续集电极电流

6A

高度

1.65mm

长度

6.7mm

宽度

3.7mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant