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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.633069
10
¥1.540631
100
¥1.453426
500
¥1.371156
1000
¥1.293544
Diodes Incorporated DZT953-13
- 收藏
- 对比
DZT953-13
671-DZT953-13
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
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Bipolar Transistors - BJT 1W -100V -5A
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DZT953-13详情
Diodes Incorporated DZT953-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
19 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-420mV
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
1W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DZT953
引脚数量
4
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
1W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
125MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
420mV
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 1A 1V
最大集极截止电流
50nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
420mV @ 400mA, 4A
转换频率
125MHz
最大击穿电压
100V
集电极基极电压(VCBO)
-140V
发射极基极电压 (VEBO)
-6V
连续集电极电流
-5A
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DZT953-13拓展信息
Diodes Incorporated
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