Diodes Incorporated FMMT413TC

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

150mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

150MHz

Power Dissipation (Max)

330mW

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

50V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

FMMT413

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Avalanche Mode

集电极发射器电压(VCEO)

150mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 10mA 10V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

150mV @ 1mA, 10mA

转换频率

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

150V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

连续集电极电流

100mA

高度

1mm

长度

3.05mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅