Diodes Incorporated FZT558

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Power Dissipation (Max)

2W

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-400V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-200mA

基本部件号

FZT558

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

2W

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 50mA 10V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 6mA, 50mA

转换频率

50MHz

频率转换

50MHz

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅